# Caractéristique U-I d’une diode

Objectif

Tracer la caractéristique U-I d’une diode et comparer les résultats avec la théorie.

Procédure

- Faire les connexions
- Cliquer sur DÉMARRER pour tracer la courbe caractéristique.
- Analyser les données
- Tracer les courbes U-I de DELs

Discussion

La caractéristique U-I d’une jonction PN idéale est donnée par l’équation I=I0×e(qU⁄kT) − 1, où I0 est le courant de saturation inverse, q la charge de l’électron, k la constante de Boltzmann, T la température en Kelvin. Pour une diode réelle, non-idéale, l’équation est I=I0×e(qU⁄nkT) − 1, où n est le facteur d’idéalité, qui vaut 1 pour une diode idéale. Pour des diodes réelles il varie entre 1 et 2. On a utilisé une diode au silicium 1N4148. La valeur de n pour 1N4148 est proche de 2. On a calculé la valeur de n en modélisant les valeurs expérimentales par l’équation.

La tension à laquelle une DEL commence à émettre de la lumière dépend de sa longueur d’onde et de la constante de Planck. L’énergie d’un photon est donnée par E=hν=hc⁄λ. Cette énergie est égale au travail d’un électron qui franchit un seuil de potentiel, qui est donné par E=eU0. Donc la constante de Planck est h=eU0×λ⁄c, où λ est la longueur d’onde de la DEL, e la charge de l’électron et c la vitesse de la lumière.

Recommencer cette expérience en chauffant la diode à différentes températures.